FDC636P
Производителей: | ON Semiconductor |
---|---|
Категория продукции: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Лист данных: | FDC636P |
Описание: | MOSFET P-CH 20V 2.8A SSOT-6 |
Статус RoHS: | RoHS Совместимый |
Атрибут | Значение атрибута |
---|---|
Производителя | ON Semiconductor |
Категория продукции | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Серии | - |
Тип FET | P-Channel |
Упаковки | Digi-Reel® |
Vgs (Макс) | ±8V |
Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
Функция FET | - |
Статус части | Obsolete |
Тип монтажа | Surface Mount |
Пакет / Дело | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Vgs (th) (Max) | 1V @ 250µA |
Операционная температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Макс) - Id, Vgs | 130mOhm @ 2.8A, 4.5V |
Рассеивание мощности (Макс) | 1.6W (Ta) |
Пакет устройств поставщика | SuperSOT™-6 |
Заряд ворот (Кг) (Макс) | 8.5nC @ 4.5V |
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) | 20V |
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds | 390pF @ 10V |
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию | 2.8A (Ta) |
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On) | 2.5V, 4.5V |
На складе 78 pcs
Цена рефранса ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
---|---|---|---|
$0.00 | $0.00 | $0.00 |
Минимальный: 1