Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

FDD3510H

Производителей: ON Semiconductor
Категория продукции: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Лист данных: FDD3510H
Описание: MOSFET N/P-CH 80V 4.3A/2.8A DPAK
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя ON Semiconductor
Категория продукции Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Серии PowerTrench®
Тип FET N and P-Channel, Common Drain
Упаковки Digi-Reel®
Функция FET Logic Level Gate
Статус части Active
Мощность - Макс 1.3W
Тип монтажа Surface Mount
Пакет / Дело TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Vgs (th) (Max) 4V @ 250µA
Операционная температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs 80mOhm @ 4.3A, 10V
Пакет устройств поставщика TO-252-4L
Заряд ворот (Кг) (Макс) 18nC @ 10V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) 80V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds 800pF @ 40V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию 4.3A, 2.8A

На складе 1368 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

SH8J62TB1
ROHM Semiconductor
$0
SH8K22TB1
ROHM Semiconductor
$0
SQJB90EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
$0
SQJ910AEP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
$0
SQJ990EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
$0