Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

FDFMA2P853T

Производителей:	ON Semiconductor
Категория продукции:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных:	FDFMA2P853T
Описание:	MOSFET P-CH 20V 3A 6-MICROFET
Статус RoHS:	RoHS Совместимый

Атрибут	Значение атрибута
Производителя	ON Semiconductor
Категория продукции	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии	PowerTrench®
Тип FET	P-Channel
Упаковки	Digi-Reel®
Vgs (Макс)	±8V
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET	Schottky Diode (Isolated)
Статус части	Obsolete
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет / Дело	6-UDFN Exposed Pad
Vgs (th) (Max)	1.3V @ 250µA
Операционная температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs	120mOhm @ 3A, 4.5V
Рассеивание мощности (Макс)	1.4W (Ta)
Пакет устройств поставщика	MicroFET 2x2 Thin
Заряд ворот (Кг) (Макс)	6nC @ 4.5V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss)	20V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds	435pF @ 10V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию	3A (Ta)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On)	1.8V, 4.5V