Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

FDMS3660S-F121

Производителей: ON Semiconductor
Категория продукции: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Лист данных: FDMS3660S-F121
Описание: MOSFET 2N-CH 30V 13A/30A 8-PQFN
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя ON Semiconductor
Категория продукции Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Серии PowerTrench®
Тип FET 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Упаковки Digi-Reel®
Функция FET Logic Level Gate
Статус части Obsolete
Мощность - Макс 1W
Тип монтажа Surface Mount
Пакет / Дело 8-PowerTDFN
Vgs (th) (Max) 2.7V @ 250µA
Операционная температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs 8mOhm @ 13A, 10V
Пакет устройств поставщика Power56
Заряд ворот (Кг) (Макс) 29nC @ 10V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) 30V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds 1765pF @ 15V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию 13A, 30A

На складе 77 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

FDMC8200S_F106
ON Semiconductor
$0
PMDPB95XNE,115
NXP USA Inc.
$0
PMDPB70EN,115
Nexperia USA Inc.
$0
PMDPB56XN,115
NXP USA Inc.
$0
PMDPB42UN,115
NXP USA Inc.
$0