Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

FDP10N60NZ

Производителей: ON Semiconductor
Категория продукции: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных: FDP10N60NZ
Описание: MOSFET N-CH 600V 10A TO-220
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя ON Semiconductor
Категория продукции Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии UniFET-II™
Тип FET N-Channel
Упаковки Tube
Vgs (Макс) ±25V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET -
Статус части Active
Тип монтажа Through Hole
Пакет / Дело TO-220-3
Vgs (th) (Max) 5V @ 250µA
Операционная температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs 750mOhm @ 5A, 10V
Рассеивание мощности (Макс) 185W (Tc)
Пакет устройств поставщика TO-220-3
Заряд ворот (Кг) (Макс) 30nC @ 10V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) 600V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds 1475pF @ 25V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию 10A (Tc)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On) 10V

На складе 55 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$1.66 $1.63 $1.59
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

STP260N4F7
STMicroelectronics
$1.68
IXTY44N10T
IXYS
$1.65
STP4N90K5
STMicroelectronics
$1.63
IPA80R600P7XKSA1
Infineon Technologies
$1.62
IPP037N06L3GXKSA1
Infineon Technologies
$1.59