FQA6N80_F109
Производителей: | ON Semiconductor |
---|---|
Категория продукции: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Лист данных: | FQA6N80_F109 |
Описание: | MOSFET N-CH 800V 6.3A TO-3P |
Статус RoHS: | RoHS Совместимый |
Атрибут | Значение атрибута |
---|---|
Производителя | ON Semiconductor |
Категория продукции | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Серии | QFET® |
Тип FET | N-Channel |
Упаковки | Tube |
Vgs (Макс) | ±30V |
Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
Функция FET | - |
Статус части | Obsolete |
Тип монтажа | Through Hole |
Пакет / Дело | TO-3P-3, SC-65-3 |
Vgs (th) (Max) | 5V @ 250µA |
Операционная температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Макс) - Id, Vgs | 1.95Ohm @ 3.15A, 10V |
Рассеивание мощности (Макс) | 185W (Tc) |
Пакет устройств поставщика | TO-3P |
Заряд ворот (Кг) (Макс) | 31nC @ 10V |
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) | 800V |
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds | 1500pF @ 25V |
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию | 6.3A (Tc) |
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On) | 10V |
На складе 93 pcs
Цена рефранса ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
---|---|---|---|
$0.00 | $0.00 | $0.00 |
Минимальный: 1