Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

HGT1S10N120BNS

Производителей: ON Semiconductor
Категория продукции: Transistors - IGBTs - Single
Лист данных: HGT1S10N120BNS
Описание: IGBT 1200V 35A 298W TO263AB
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя ON Semiconductor
Категория продукции Transistors - IGBTs - Single
Серии -
Тип IGBT NPT
Упаковки Tube
Тип ввода Standard
Плата за ворота 100nC
Статус части Not For New Designs
Мощность - Макс 298W
Тип монтажа Surface Mount
Пакет / Дело TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Условие тестирования 960V, 10A, 10Ohm, 15V
Номер базовой части HGT1S10N120
Энергия переключения 320µJ (on), 800µJ (off)
Td (в/выкл) 23ns/165ns
Операционная температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Пакет устройств поставщика TO-263AB
Vce (на) (Макс) 2.7V @ 15V, 10A
Текущий - Коллектор (Ic) (Макс) 35A
Текущий - Коллектор Пульсированный (Icm) 80A
Напряжение - Коллектор Излучатель Разбивка (Макс) 1200V

На складе 57 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$1.86 $1.82 $1.79
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

IRGB10B60KDPBF
Infineon Technologies
$1.83
NGTB15N135IHRWG
ON Semiconductor
$1.83
STGWT20HP65FB
STMicroelectronics
$1.8
IKP20N65F5XKSA1
Infineon Technologies
$1.8
IRG4PC30UPBF
Infineon Technologies
$1.78