Image is for reference only , details as Specifications

HGTG10N120BND

Производителей: ON Semiconductor
Категория продукции: Transistors - IGBTs - Single
Лист данных: HGTG10N120BND
Описание: IGBT 1200V 35A 298W TO247
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя ON Semiconductor
Категория продукции Transistors - IGBTs - Single
Серии -
Тип IGBT NPT
Упаковки Tube
Тип ввода Standard
Плата за ворота 100nC
Статус части Not For New Designs
Мощность - Макс 298W
Тип монтажа Through Hole
Пакет / Дело TO-247-3
Условие тестирования 960V, 10A, 10Ohm, 15V
Энергия переключения 850µJ (on), 800µJ (off)
Td (в/выкл) 23ns/165ns
Операционная температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Пакет устройств поставщика TO-247-3
Vce (на) (Макс) 2.7V @ 15V, 10A
Обратное время восстановления (trr) 70ns
Текущий - Коллектор (Ic) (Макс) 35A
Текущий - Коллектор Пульсированный (Icm) 80A
Напряжение - Коллектор Излучатель Разбивка (Макс) 1200V

На складе 784 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$3.04 $2.98 $2.92
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

STGP40V60F
STMicroelectronics
$2.89
IRG4BC30SPBF
Infineon Technologies
$3
IRG4BH20K-SPBF
Infineon Technologies
$2.88
2SK880-BL(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
$0
2SK2394-7-TB-E
ON Semiconductor
$0