Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

HGTP5N120BND

Производителей: ON Semiconductor
Категория продукции: Transistors - IGBTs - Single
Лист данных: HGTP5N120BND
Описание: IGBT 1200V 21A 167W TO220AB
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя ON Semiconductor
Категория продукции Transistors - IGBTs - Single
Серии -
Тип IGBT NPT
Упаковки Tube
Тип ввода Standard
Плата за ворота 53nC
Статус части Not For New Designs
Мощность - Макс 167W
Тип монтажа Through Hole
Пакет / Дело TO-220-3
Условие тестирования 960V, 5A, 25Ohm, 15V
Энергия переключения 450µJ (on), 390µJ (off)
Td (в/выкл) 22ns/160ns
Операционная температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Пакет устройств поставщика TO-220-3
Vce (на) (Макс) 2.7V @ 15V, 5A
Обратное время восстановления (trr) 65ns
Текущий - Коллектор (Ic) (Макс) 21A
Текущий - Коллектор Пульсированный (Icm) 40A
Напряжение - Коллектор Излучатель Разбивка (Макс) 1200V

На складе 99 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$1.29 $1.26 $1.24
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

IKD15N60RAATMA1
Infineon Technologies
$1.28
AOB15B60D
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
$1.28
ISL9V3036S3ST
ON Semiconductor
$0
AOT20B65M1
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
$1.27
IRGC4064B
Infineon Technologies
$1.23