IRLW630ATM
Производителей: | ON Semiconductor |
---|---|
Категория продукции: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Лист данных: | IRLW630ATM |
Описание: | MOSFET N-CH 200V 9A I2PAK |
Статус RoHS: | RoHS Совместимый |
Атрибут | Значение атрибута |
---|---|
Производителя | ON Semiconductor |
Категория продукции | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Серии | - |
Тип FET | N-Channel |
Упаковки | Tape & Reel (TR) |
Vgs (Макс) | ±20V |
Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
Функция FET | - |
Статус части | Obsolete |
Тип монтажа | Through Hole |
Пакет / Дело | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Vgs (th) (Max) | 2V @ 250µA |
Операционная температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Макс) - Id, Vgs | 400mOhm @ 4.5A, 5V |
Рассеивание мощности (Макс) | 3.1W (Ta), 69W (Tc) |
Пакет устройств поставщика | I2PAK (TO-262) |
Заряд ворот (Кг) (Макс) | 27nC @ 5V |
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) | 200V |
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds | 755pF @ 25V |
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию | 9A (Tc) |
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On) | 5V |
На складе 71 pcs
Цена рефранса ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
---|---|---|---|
$0.00 | $0.00 | $0.00 |
Минимальный: 1