Image is for reference only , details as Specifications

MJ11012G

Производителей:	ON Semiconductor
Категория продукции:	Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Лист данных:	MJ11012G
Описание:	TRANS NPN DARL 60V 30A TO-3
Статус RoHS:	RoHS Совместимый

Атрибут	Значение атрибута
Производителя	ON Semiconductor
Категория продукции	Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Серии	-
Упаковки	Tray
Статус части	Active
Мощность - Макс	200W
Тип монтажа	Through Hole
Пакет / Дело	TO-204AA, TO-3
Тип транзистора	NPN - Darlington
Операционная температура	-55°C ~ 200°C (TJ)
Частота - Переход	4MHz
Пакет устройств поставщика	TO-204 (TO-3)
Vce Насыщенность (Макс) иб, Ic	4V @ 300mA, 30A
Текущий - Коллектор (Ic) (Макс)	30A
Текущий - Коллектор Отсечение (Макс)	1mA
DC Текущий прирост (hFE) (Мин) и Ic, Vce	1000 @ 20A, 5V
Напряжение - Коллектор Излучатель Разбивка (Макс)	60V