Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов
MUN5112DW1T1G
| Производителей: | ON Semiconductor |
|---|---|
| Категория продукции: | Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased |
| Лист данных: | MUN5112DW1T1G |
| Описание: | TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363 |
| Статус RoHS: | RoHS Совместимый |
| Атрибут | Значение атрибута |
|---|---|
| Производителя | ON Semiconductor |
| Категория продукции | Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased |
| Серии | - |
| Упаковки | Tape & Reel (TR) |
| Статус части | Obsolete |
| Мощность - Макс | 250mW |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Пакет / Дело | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Тип транзистора | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Номер базовой части | MUN51**DW1T |
| Сопротивление - База (R1) | 22kOhms |
| Частота - Переход | - |
| Пакет устройств поставщика | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| Сопротивление - База Эмиттера (R2) | 22kOhms |
| Vce Насыщенность (Макс) иб, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
| Текущий - Коллектор (Ic) (Макс) | 100mA |
| Текущий - Коллектор Отсечение (Макс) | 500nA |
| DC Текущий прирост (hFE) (Мин) и Ic, Vce | 60 @ 5mA, 10V |
| Напряжение - Коллектор Излучатель Разбивка (Макс) | 50V |
На складе 59 pcs
| Цена рефранса ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
Минимальный: 1
Запрос Цитата
Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее
Bargain Finds
