Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

MUN5212DW1T1G

Производителей: ON Semiconductor
Категория продукции: Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Лист данных: MUN5212DW1T1G
Описание: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя ON Semiconductor
Категория продукции Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Серии -
Упаковки Digi-Reel®
Статус части Active
Мощность - Макс 250mW
Тип монтажа Surface Mount
Пакет / Дело 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Тип транзистора 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Номер базовой части MUN52**DW1T
Сопротивление - База (R1) 22kOhms
Частота - Переход -
Пакет устройств поставщика SC-88/SC70-6/SOT-363
Сопротивление - База Эмиттера (R2) 22kOhms
Vce Насыщенность (Макс) иб, Ic 250mV @ 300µA, 10mA
Текущий - Коллектор (Ic) (Макс) 100mA
Текущий - Коллектор Отсечение (Макс) 500nA
DC Текущий прирост (hFE) (Мин) и Ic, Vce 60 @ 5mA, 10V
Напряжение - Коллектор Излучатель Разбивка (Макс) 50V

На складе 9020 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

MUN5111DW1T1G
ON Semiconductor
$0
MUN5232DW1T1G
ON Semiconductor
$0
MUN5312DW1T1G
ON Semiconductor
$0
BC846BS,135
Nexperia USA Inc.
$0.04
BC846S,115
Nexperia USA Inc.
$0