Image is for reference only , details as Specifications

MUN5213DW1T3G

Производителей: ON Semiconductor
Категория продукции: Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Лист данных: MUN5213DW1T3G
Описание: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя ON Semiconductor
Категория продукции Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Серии -
Упаковки Tape & Reel (TR)
Статус части Active
Мощность - Макс 250mW
Тип монтажа Surface Mount
Пакет / Дело 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Тип транзистора 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Номер базовой части MUN52**DW1T
Сопротивление - База (R1) 47kOhms
Частота - Переход -
Пакет устройств поставщика SC-88/SC70-6/SOT-363
Сопротивление - База Эмиттера (R2) 47kOhms
Vce Насыщенность (Макс) иб, Ic 250mV @ 300µA, 10mA
Текущий - Коллектор (Ic) (Макс) 100mA
Текущий - Коллектор Отсечение (Макс) 500nA
DC Текущий прирост (hFE) (Мин) и Ic, Vce 80 @ 5mA, 10V
Напряжение - Коллектор Излучатель Разбивка (Макс) 50V

На складе 71 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.03 $0.03 $0.03
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

RN2902FE,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage
$0.05
RN2905FE,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage
$0.05
RN1901,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage
$0
ACX114YUQ-13R
Diodes Incorporated
$0.05
RN4901,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage
$0