Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

NGTD21T65F2WP

Производителей: ON Semiconductor
Категория продукции: Transistors - IGBTs - Single
Лист данных: NGTD21T65F2WP
Описание: IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя ON Semiconductor
Категория продукции Transistors - IGBTs - Single
Серии -
Тип IGBT Trench Field Stop
Упаковки Bulk
Тип ввода Standard
Статус части Active
Тип монтажа Surface Mount
Пакет / Дело Die
Условие тестирования -
Энергия переключения -
Td (в/выкл) -
Операционная температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Пакет устройств поставщика Die
Vce (на) (Макс) 1.9V @ 15V, 45A
Текущий - Коллектор Пульсированный (Icm) 200A
Напряжение - Коллектор Излучатель Разбивка (Макс) 650V

На складе 70 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$1.77 $1.73 $1.70
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

STGWA20M65DF2
STMicroelectronics
$1.74
GPA025A120MN-ND
Global Power Technologies Group
$1.73
GPA020A135MN-FD
Global Power Technologies Group
$1.73
IRGB20B60PD1PBF
Infineon Technologies
$1.73
IGC07T120T8LX1SA2
Infineon Technologies
$1.71