Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

NGTD23T120F2WP

Производителей: ON Semiconductor
Категория продукции: Transistors - IGBTs - Single
Лист данных: NGTD23T120F2WP
Описание: IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя ON Semiconductor
Категория продукции Transistors - IGBTs - Single
Серии -
Тип IGBT Trench Field Stop
Упаковки Bulk
Тип ввода Standard
Статус части Active
Тип монтажа Surface Mount
Пакет / Дело Die
Условие тестирования -
Энергия переключения -
Td (в/выкл) -
Операционная температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Пакет устройств поставщика Die
Vce (на) (Макс) 2.2V @ 15V, 25A
Текущий - Коллектор Пульсированный (Icm) 120A
Напряжение - Коллектор Излучатель Разбивка (Макс) 1200V

На складе 97 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$1.94 $1.90 $1.86
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

AFGB30T65SQDN
ON Semiconductor
$1.92
STGWA30H65FB
STMicroelectronics
$1.92
IRG4BC20KDSTRRP
Infineon Technologies
$1.89
IRG4BC30W-STRLP
Infineon Technologies
$0
AOK20B60D1
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
$1.87