Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

NJD35N04T4G

Производителей: ON Semiconductor
Категория продукции: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Лист данных: NJD35N04T4G
Описание: TRANS NPN DARL 350V 4A DPAK
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя ON Semiconductor
Категория продукции Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Серии -
Упаковки Digi-Reel®
Статус части Active
Мощность - Макс 45W
Тип монтажа Surface Mount
Пакет / Дело TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Тип транзистора NPN - Darlington
Операционная температура -65°C ~ 150°C (TJ)
Частота - Переход 90MHz
Пакет устройств поставщика DPAK
Vce Насыщенность (Макс) иб, Ic 1.5V @ 20mA, 2A
Текущий - Коллектор (Ic) (Макс) 4A
Текущий - Коллектор Отсечение (Макс) 50µA
DC Текущий прирост (hFE) (Мин) и Ic, Vce 2000 @ 2A, 2V
Напряжение - Коллектор Излучатель Разбивка (Макс) 350V

На складе 8032 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

ZXTP2012GTA
Diodes Incorporated
$0
ZXTN2007ZTA
Diodes Incorporated
$0
ZXTP2012ZTA
Diodes Incorporated
$0
FZT1151ATA
Diodes Incorporated
$0.93
ZXTN2010ZTA
Diodes Incorporated
$0