NJVMJD117T4G
Производителей: | ON Semiconductor |
---|---|
Категория продукции: | Transistors - Bipolar (BJT) - Single |
Лист данных: | NJVMJD117T4G |
Описание: | TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK-4 |
Статус RoHS: | RoHS Совместимый |
Атрибут | Значение атрибута |
---|---|
Производителя | ON Semiconductor |
Категория продукции | Transistors - Bipolar (BJT) - Single |
Серии | - |
Упаковки | Tape & Reel (TR) |
Статус части | Active |
Мощность - Макс | 1.75W |
Тип монтажа | Surface Mount |
Пакет / Дело | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Тип транзистора | PNP - Darlington |
Номер базовой части | MJD117 |
Операционная температура | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Частота - Переход | 25MHz |
Пакет устройств поставщика | DPAK |
Vce Насыщенность (Макс) иб, Ic | 3V @ 40mA, 4A |
Текущий - Коллектор (Ic) (Макс) | 2A |
Текущий - Коллектор Отсечение (Макс) | 20µA |
DC Текущий прирост (hFE) (Мин) и Ic, Vce | 1000 @ 2A, 3V |
Напряжение - Коллектор Излучатель Разбивка (Макс) | 100V |
На складе 67 pcs
Цена рефранса ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
---|---|---|---|
$0.34 | $0.33 | $0.33 |
Минимальный: 1