Image is for reference only , details as Specifications

NSBA123JDP6T5G

Производителей:	ON Semiconductor
Категория продукции:	Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Лист данных:	NSBA123JDP6T5G
Описание:	TRANS 2PNP PREBIAS 0.408W SOT963
Статус RoHS:	RoHS Совместимый

Атрибут	Значение атрибута
Производителя	ON Semiconductor
Категория продукции	Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Серии	-
Упаковки	Tape & Reel (TR)
Статус части	Active
Мощность - Макс	408mW
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет / Дело	SOT-963
Тип транзистора	2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Номер базовой части	NSBA1*
Сопротивление - База (R1)	2.2kOhms
Частота - Переход	-
Пакет устройств поставщика	SOT-963
Сопротивление - База Эмиттера (R2)	47kOhms
Vce Насыщенность (Макс) иб, Ic	250mV @ 300µA, 10mA
Текущий - Коллектор (Ic) (Макс)	100mA
Текущий - Коллектор Отсечение (Макс)	500nA
DC Текущий прирост (hFE) (Мин) и Ic, Vce	80 @ 5mA, 10V
Напряжение - Коллектор Излучатель Разбивка (Макс)	50V