Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

NSBA123JDP6T5G

Производителей: ON Semiconductor
Категория продукции: Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Лист данных: NSBA123JDP6T5G
Описание: TRANS 2PNP PREBIAS 0.408W SOT963
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя ON Semiconductor
Категория продукции Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Серии -
Упаковки Tape & Reel (TR)
Статус части Active
Мощность - Макс 408mW
Тип монтажа Surface Mount
Пакет / Дело SOT-963
Тип транзистора 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Номер базовой части NSBA1*
Сопротивление - База (R1) 2.2kOhms
Частота - Переход -
Пакет устройств поставщика SOT-963
Сопротивление - База Эмиттера (R2) 47kOhms
Vce Насыщенность (Макс) иб, Ic 250mV @ 300µA, 10mA
Текущий - Коллектор (Ic) (Макс) 100mA
Текущий - Коллектор Отсечение (Макс) 500nA
DC Текущий прирост (hFE) (Мин) и Ic, Vce 80 @ 5mA, 10V
Напряжение - Коллектор Излучатель Разбивка (Макс) 50V

На складе 93 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.10 $0.10 $0.10
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

NSBC143EDP6T5G
ON Semiconductor
$0.1
NSBC124EDP6T5G
ON Semiconductor
$0.1
NSBA143EDP6T5G
ON Semiconductor
$0.1
NSBC144WDP6T5G
ON Semiconductor
$0.1
NSBC123TDP6T5G
ON Semiconductor
$0.1