Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

NSBC113EPDXV6T1G

Производителей: ON Semiconductor
Категория продукции: Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Лист данных: NSBC113EPDXV6T1G
Описание: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя ON Semiconductor
Категория продукции Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Серии -
Упаковки Digi-Reel®
Статус части Discontinued at Digi-Key
Мощность - Макс 500mW
Тип монтажа Surface Mount
Пакет / Дело SOT-563, SOT-666
Тип транзистора 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Сопротивление - База (R1) 1kOhms
Частота - Переход -
Пакет устройств поставщика SOT-563
Сопротивление - База Эмиттера (R2) 1kOhms
Vce Насыщенность (Макс) иб, Ic 250mV @ 5mA, 10mA
Текущий - Коллектор (Ic) (Макс) 100mA
Текущий - Коллектор Отсечение (Макс) 500nA
DC Текущий прирост (hFE) (Мин) и Ic, Vce 3 @ 5mA, 10V
Напряжение - Коллектор Излучатель Разбивка (Макс) 50V

На складе 96 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

DDA114EU-7
Diodes Incorporated
$0.1
DDA143TU-7
Diodes Incorporated
$0.1
DDC114TU-7
Diodes Incorporated
$0.1
RN4905T5LFT
Toshiba Semiconductor and Storage
$0
RN1965FE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
$0