Image is for reference only , details as Specifications

NSBC115EPDXV6T1G

Производителей: ON Semiconductor
Категория продукции: Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Лист данных: NSBC115EPDXV6T1G
Описание: SS SOT563 RSTR XSTR TR
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя ON Semiconductor
Категория продукции Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Серии Automotive, AEC-Q101
Статус части Active
Мощность - Макс 357mW
Тип монтажа Surface Mount
Пакет / Дело SOT-563, SOT-666
Тип транзистора 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Сопротивление - База (R1) 100kOhms
Частота - Переход -
Пакет устройств поставщика SOT-563
Сопротивление - База Эмиттера (R2) 100kOhms
Vce Насыщенность (Макс) иб, Ic 250mV @ 300µA, 10mA
Текущий - Коллектор (Ic) (Макс) 100mA
Текущий - Коллектор Отсечение (Макс) 500nA
DC Текущий прирост (hFE) (Мин) и Ic, Vce 80 @ 5mA, 10V
Напряжение - Коллектор Излучатель Разбивка (Макс) 50V

На складе 96 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.07 $0.07 $0.07
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

DCX124EUQ-7-F
Diodes Incorporated
$0.07
ADA114EUQ-7
Diodes Incorporated
$0.07
RN4987,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage
$0
RN4984,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage
$0
RN4983,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage
$0