Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

NSTB60BDW1T1G

Производителей:	ON Semiconductor
Категория продукции:	Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Лист данных:	NSTB60BDW1T1G
Описание:	TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.25W SC88
Статус RoHS:	RoHS Совместимый

Атрибут	Значение атрибута
Производителя	ON Semiconductor
Категория продукции	Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Серии	-
Упаковки	Cut Tape (CT)
Статус части	Active
Мощность - Макс	250mW
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет / Дело	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Тип транзистора	1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
Номер базовой части	NSTB60B
Сопротивление - База (R1)	22kOhms
Частота - Переход	140MHz
Пакет устройств поставщика	SC-88/SC70-6/SOT-363
Сопротивление - База Эмиттера (R2)	47kOhms
Vce Насыщенность (Макс) иб, Ic	250mV @ 5mA, 10mA / 500mV @ 5mA, 50mA
Текущий - Коллектор (Ic) (Макс)	150mA
Текущий - Коллектор Отсечение (Макс)	500nA
DC Текущий прирост (hFE) (Мин) и Ic, Vce	80 @ 5mA, 10V / 120 @ 5mA, 10V
Напряжение - Коллектор Излучатель Разбивка (Макс)	50V