Image is for reference only , details as Specifications

NSVDTA114YM3T5G

Производителей:	ON Semiconductor
Категория продукции:	Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Лист данных:	NSVDTA114YM3T5G
Описание:	TRANS PREBIAS PNP 260MW SOT723
Статус RoHS:	RoHS Совместимый

Атрибут	Значение атрибута
Производителя	ON Semiconductor
Категория продукции	Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Серии	Automotive, AEC-Q101
Упаковки	Tape & Reel (TR)
Статус части	Active
Мощность - Макс	260mW
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет / Дело	SOT-723
Тип транзистора	PNP - Pre-Biased
Сопротивление - База (R1)	10 kOhms
Пакет устройств поставщика	SOT-723
Сопротивление - База Эмиттера (R2)	47 kOhms
Vce Насыщенность (Макс) иб, Ic	250mV @ 300µA, 10mA
Текущий - Коллектор (Ic) (Макс)	100mA
Текущий - Коллектор Отсечение (Макс)	100nA (ICBO)
DC Текущий прирост (hFE) (Мин) и Ic, Vce	80 @ 5mA, 10V
Напряжение - Коллектор Излучатель Разбивка (Макс)	50V