Image is for reference only , details as Specifications

NSVMUN5336DW1T1G

Производителей: ON Semiconductor
Категория продукции: Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Лист данных: NSVMUN5336DW1T1G
Описание: COMPLEMENTARY DIGITAL TRA
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя ON Semiconductor
Категория продукции Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Серии Automotive, AEC-Q101
Статус части Active
Мощность - Макс 187mW
Тип монтажа Surface Mount
Пакет / Дело 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Тип транзистора 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Сопротивление - База (R1) 100kOhms
Частота - Переход -
Пакет устройств поставщика SC-88/SC70-6/SOT-363
Сопротивление - База Эмиттера (R2) 100kOhms
Vce Насыщенность (Макс) иб, Ic 250mV @ 300µA, 10mA
Текущий - Коллектор (Ic) (Макс) 100mA
Текущий - Коллектор Отсечение (Макс) 500nA
DC Текущий прирост (hFE) (Мин) и Ic, Vce 80 @ 5mA, 10V
Напряжение - Коллектор Излучатель Разбивка (Макс) 50V

На складе 61 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.10 $0.10 $0.10
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

IMB4AT110
ROHM Semiconductor
$0
DDA114YH-7
Diodes Incorporated
$0.09
DCX114YH-7
Diodes Incorporated
$0.09
MIMD10A-7-F
Diodes Incorporated
$0.09
DDC114TH-7
Diodes Incorporated
$0.09