Image is for reference only , details as Specifications

NTHL080N120SC1

Производителей:	ON Semiconductor
Категория продукции:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных:	NTHL080N120SC1
Описание:	SIC MOS TO247 80MW 1200V
Статус RoHS:	RoHS Совместимый

Атрибут	Значение атрибута
Производителя	ON Semiconductor
Категория продукции	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии	-
Тип FET	N-Channel
Vgs (Макс)	+25V, -15V
Технологии	SiCFET (Silicon Carbide)
Функция FET	-
Статус части	Active
Тип монтажа	Through Hole
Пакет / Дело	TO-247-3
Vgs (th) (Max)	4.3V @ 5mA
Операционная температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs	110mOhm @ 20A, 20V
Рассеивание мощности (Макс)	348W (Tc)
Пакет устройств поставщика	TO-247-3
Заряд ворот (Кг) (Макс)	56nC @ 20V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss)	1200V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds	1670pF @ 800V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию	44A (Tc)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On)	20V