Image is for reference only , details as Specifications

NTMFS4H013NFT1G

Производителей:	ON Semiconductor
Категория продукции:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных:	NTMFS4H013NFT1G
Описание:	MOSFET N-CH 25V 35A SO8FL
Статус RoHS:	RoHS Совместимый

Атрибут	Значение атрибута
Производителя	ON Semiconductor
Категория продукции	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии	-
Тип FET	N-Channel
Упаковки	Tape & Reel (TR)
Vgs (Макс)	±20V
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET	-
Статус части	Active
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет / Дело	8-PowerTDFN
Vgs (th) (Max)	2.1V @ 250µA
Операционная температура	150°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs	0.9mOhm @ 30A, 10V
Рассеивание мощности (Макс)	2.7W (Ta), 104W (Tc)
Пакет устройств поставщика	5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Заряд ворот (Кг) (Макс)	56nC @ 10V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss)	25V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds	3923pF @ 12V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию	43A (Ta), 269A (Tc)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On)	4.5V, 10V