Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

NTMS10P02R2G

Производителей:	ON Semiconductor
Категория продукции:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных:	NTMS10P02R2G
Описание:	MOSFET P-CH 20V 8.8A 8-SOIC
Статус RoHS:	RoHS Совместимый

Атрибут	Значение атрибута
Производителя	ON Semiconductor
Категория продукции	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии	-
Тип FET	P-Channel
Упаковки	Digi-Reel®
Vgs (Макс)	±12V
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET	-
Статус части	Active
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет / Дело	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs (th) (Max)	1.2V @ 250µA
Операционная температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs	14mOhm @ 10A, 4.5V
Рассеивание мощности (Макс)	1.6W (Ta)
Пакет устройств поставщика	8-SOIC
Заряд ворот (Кг) (Макс)	70nC @ 4.5V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss)	20V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds	3640pF @ 16V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию	8.8A (Ta)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On)	2.5V, 4.5V