NVD5867NLT4G
Производителей: | ON Semiconductor |
---|---|
Категория продукции: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Лист данных: | NVD5867NLT4G |
Описание: | MOSFET N-CH 60V DPAK |
Статус RoHS: | RoHS Совместимый |
Атрибут | Значение атрибута |
---|---|
Производителя | ON Semiconductor |
Категория продукции | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Серии | Automotive, AEC-Q101 |
Тип FET | N-Channel |
Vgs (Макс) | ±20V |
Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
Функция FET | - |
Статус части | Active |
Тип монтажа | Surface Mount |
Пакет / Дело | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Vgs (th) (Max) | 2.5V @ 250µA |
Операционная температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Rds On (Макс) - Id, Vgs | 39mOhm @ 11A, 10V |
Рассеивание мощности (Макс) | 3.3W (Ta), 43W (Tc) |
Пакет устройств поставщика | DPAK-3 |
Заряд ворот (Кг) (Макс) | 15nC @ 10V |
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) | 60V |
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds | 675pF @ 25V |
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию | 6A (Ta), 22A (Tc) |
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On) | 4.5V, 10V |
На складе 99 pcs
Цена рефранса ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
---|---|---|---|
$0.00 | $0.00 | $0.00 |
Минимальный: 1