Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

NVMFS5C612NLAFT3G

Производителей:	ON Semiconductor
Категория продукции:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных:	NVMFS5C612NLAFT3G
Описание:	MOSFET N-CH 60V 38A 250A 5DFN
Статус RoHS:	RoHS Совместимый

Атрибут	Значение атрибута
Производителя	ON Semiconductor
Категория продукции	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии	Automotive, AEC-Q101
Тип FET	N-Channel
Упаковки	Tape & Reel (TR)
Vgs (Макс)	±20V
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET	-
Статус части	Not For New Designs
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет / Дело	8-PowerTDFN, 5 Leads
Vgs (th) (Max)	2V @ 250µA
Операционная температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs	1.36mOhm @ 50A, 10V
Рассеивание мощности (Макс)	3.8W (Ta), 167W (Tc)
Пакет устройств поставщика	5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Заряд ворот (Кг) (Макс)	91nC @ 10V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss)	60V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds	6660pF @ 25V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию	38A (Ta), 250A (Tc)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On)	4.5V, 10V