Image is for reference only , details as Specifications

NVMFSW6D1N08HT1G

Производителей:	ON Semiconductor
Категория продукции:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных:	NVMFSW6D1N08HT1G
Описание:	T8 80V 1 PART PROLIFERATI
Статус RoHS:	RoHS Совместимый

Атрибут	Значение атрибута
Производителя	ON Semiconductor
Категория продукции	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии	Automotive, AEC-Q101
Тип FET	N-Channel
Упаковки	-
Vgs (Макс)	±20V
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET	-
Статус части	Active
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет / Дело	8-PowerTDFN, 5 Leads
Vgs (th) (Max)	4V @ 120µA
Операционная температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs	5.5mOhm @ 20A, 10V
Рассеивание мощности (Макс)	3.8W (Ta), 104W (Tc)
Пакет устройств поставщика	5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Заряд ворот (Кг) (Макс)	32nC @ 10V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss)	80V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds	2085pF @ 40V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию	17A (Ta), 89A (Tc)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On)	10V