BSM120D12P2C005
Производителей: | ROHM Semiconductor |
---|---|
Категория продукции: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
Лист данных: | BSM120D12P2C005 |
Описание: | MOSFET 2N-CH 1200V 120A MODULE |
Статус RoHS: | RoHS Совместимый |
Атрибут | Значение атрибута |
---|---|
Производителя | ROHM Semiconductor |
Категория продукции | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
Серии | - |
Тип FET | 2 N-Channel (Half Bridge) |
Упаковки | Bulk |
Функция FET | Silicon Carbide (SiC) |
Статус части | Active |
Мощность - Макс | 780W |
Пакет / Дело | Module |
Vgs (th) (Max) | 2.7V @ 22mA |
Операционная температура | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Макс) - Id, Vgs | - |
Пакет устройств поставщика | Module |
Заряд ворот (Кг) (Макс) | - |
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds | 14000pF @ 10V |
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию | 120A (Tc) |
На складе 46 pcs
Цена рефранса ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
---|---|---|---|
$348.16 | $341.20 | $334.37 |
Минимальный: 1