Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

BSM180C12P2E202

Производителей:	ROHM Semiconductor
Категория продукции:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных:	BSM180C12P2E202
Описание:	BSM180C12P2E202 IS A SIC (SILICO
Статус RoHS:	RoHS Совместимый

Атрибут	Значение атрибута
Производителя	ROHM Semiconductor
Категория продукции	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии	-
Тип FET	N-Channel
Упаковки	Tray
Vgs (Макс)	+22V, -6V
Технологии	SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Функция FET	-
Статус части	Active
Тип монтажа	Chassis Mount
Пакет / Дело	Module
Vgs (th) (Max)	4V @ 35.2mA
Операционная температура	175°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs	-
Рассеивание мощности (Макс)	1360W (Tc)
Пакет устройств поставщика	Module
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss)	1200V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds	20000pF @ 10V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию	204A (Tc)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On)	-