BSM180C12P2E202
Производителей: | ROHM Semiconductor |
---|---|
Категория продукции: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Лист данных: | BSM180C12P2E202 |
Описание: | BSM180C12P2E202 IS A SIC (SILICO |
Статус RoHS: | RoHS Совместимый |
Атрибут | Значение атрибута |
---|---|
Производителя | ROHM Semiconductor |
Категория продукции | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Серии | - |
Тип FET | N-Channel |
Упаковки | Tray |
Vgs (Макс) | +22V, -6V |
Технологии | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
Функция FET | - |
Статус части | Active |
Тип монтажа | Chassis Mount |
Пакет / Дело | Module |
Vgs (th) (Max) | 4V @ 35.2mA |
Операционная температура | 175°C (TJ) |
Rds On (Макс) - Id, Vgs | - |
Рассеивание мощности (Макс) | 1360W (Tc) |
Пакет устройств поставщика | Module |
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) | 1200V |
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds | 20000pF @ 10V |
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию | 204A (Tc) |
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On) | - |
На складе 4 pcs
Цена рефранса ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
---|---|---|---|
$560.00 | $548.80 | $537.82 |
Минимальный: 1