Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов
BSM180D12P2C101
| Производителей: | ROHM Semiconductor |
|---|---|
| Категория продукции: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Лист данных: | BSM180D12P2C101 |
| Описание: | MOSFET 2N-CH 1200V 180A MODULE |
| Статус RoHS: | RoHS Совместимый |
| Атрибут | Значение атрибута |
|---|---|
| Производителя | ROHM Semiconductor |
| Категория продукции | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Серии | - |
| Тип FET | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Упаковки | Bulk |
| Функция FET | Silicon Carbide (SiC) |
| Статус части | Active |
| Мощность - Макс | 1130W |
| Пакет / Дело | Module |
| Vgs (th) (Max) | 4V @ 35.2mA |
| Операционная температура | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Макс) - Id, Vgs | - |
| Пакет устройств поставщика | Module |
| Заряд ворот (Кг) (Макс) | - |
| Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds | 23000pF @ 10V |
| Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию | 204A (Tc) |
На складе 21 pcs
| Цена рефранса ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $410.07 | $401.87 | $393.83 |
Минимальный: 1
Запрос Цитата
Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее
Bargain Finds
