Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

BSM180D12P3C007

Производителей: ROHM Semiconductor
Категория продукции: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Лист данных: BSM180D12P3C007
Описание: SIC POWER MODULE
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя ROHM Semiconductor
Категория продукции Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Серии -
Тип FET 2 N-Channel (Dual)
Упаковки Bulk
Функция FET Silicon Carbide (SiC)
Статус части Active
Мощность - Макс 880W
Тип монтажа Surface Mount
Пакет / Дело Module
Vgs (th) (Max) 5.6V @ 50mA
Операционная температура 175°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs -
Пакет устройств поставщика Module
Заряд ворот (Кг) (Макс) -
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) 1200V (1.2kV)
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds 900pF @ 10V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию 180A (Tc)

На складе 26 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$525.71 $515.20 $504.89
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

CCS050M12CM2
Cree Wolfspeed
$455
SSM6N15AFU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
$0.06
FC6943010R
Panasonic Electronic Components
$0.47
DMN3190LDW-7
Diodes Incorporated
$0.44
NX3008CBKS,115
Nexperia USA Inc.
$0