Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

DTA114ECAT116

Производителей:	ROHM Semiconductor
Категория продукции:	Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Лист данных:	DTA114ECAT116
Описание:	TRANS PREBIAS PNP 200MW SST3
Статус RoHS:	RoHS Совместимый

Атрибут	Значение атрибута
Производителя	ROHM Semiconductor
Категория продукции	Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Серии	-
Упаковки	Tape & Reel (TR)
Статус части	Active
Мощность - Макс	200mW
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет / Дело	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Тип транзистора	PNP - Pre-Biased
Номер базовой части	DTA114
Сопротивление - База (R1)	10 kOhms
Частота - Переход	250MHz
Пакет устройств поставщика	SST3
Сопротивление - База Эмиттера (R2)	10 kOhms
Vce Насыщенность (Макс) иб, Ic	300mV @ 500µA, 10mA
Текущий - Коллектор (Ic) (Макс)	50mA
Текущий - Коллектор Отсечение (Макс)	500nA
DC Текущий прирост (hFE) (Мин) и Ic, Vce	30 @ 5mA, 5V
Напряжение - Коллектор Излучатель Разбивка (Макс)	50V