Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

DTB513ZMT2L

Производителей:	ROHM Semiconductor
Категория продукции:	Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Лист данных:	DTB513ZMT2L
Описание:	TRANS PREBIAS PNP 150MW VMT3
Статус RoHS:	RoHS Совместимый

Атрибут	Значение атрибута
Производителя	ROHM Semiconductor
Категория продукции	Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Серии	-
Упаковки	Tape & Reel (TR)
Статус части	Active
Мощность - Макс	150mW
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет / Дело	SOT-723
Тип транзистора	PNP - Pre-Biased
Номер базовой части	DTB513
Сопротивление - База (R1)	1 kOhms
Частота - Переход	260MHz
Пакет устройств поставщика	VMT3
Сопротивление - База Эмиттера (R2)	10 kOhms
Vce Насыщенность (Макс) иб, Ic	300mV @ 5mA, 100mA
Текущий - Коллектор (Ic) (Макс)	500mA
Текущий - Коллектор Отсечение (Макс)	500nA
DC Текущий прирост (hFE) (Мин) и Ic, Vce	140 @ 100mA, 2V
Напряжение - Коллектор Излучатель Разбивка (Макс)	12V