Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

EMA3T2R

Производителей:	ROHM Semiconductor
Категория продукции:	Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Лист данных:	EMA3T2R
Описание:	TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W
Статус RoHS:	RoHS Совместимый

Атрибут	Значение атрибута
Производителя	ROHM Semiconductor
Категория продукции	Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Серии	-
Упаковки	Tape & Reel (TR)
Статус части	Active
Мощность - Макс	150mW
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет / Дело	6-SMD (5 Leads), Flat Lead
Тип транзистора	2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Сопротивление - База (R1)	4.7kOhms
Частота - Переход	250MHz
Пакет устройств поставщика	EMT5
Сопротивление - База Эмиттера (R2)	-
Vce Насыщенность (Макс) иб, Ic	300mV @ 250µA, 5mA
Текущий - Коллектор (Ic) (Макс)	100mA
Текущий - Коллектор Отсечение (Макс)	500nA (ICBO)
DC Текущий прирост (hFE) (Мин) и Ic, Vce	100 @ 1mA, 5V
Напряжение - Коллектор Излучатель Разбивка (Макс)	50V