Image is for reference only , details as Specifications

EMB11FHAT2R

Производителей: ROHM Semiconductor
Категория продукции: Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Лист данных: EMB11FHAT2R
Описание: TRANS 2PNP 100MA EMT6
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя ROHM Semiconductor
Категория продукции Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Серии Automotive, AEC-Q101
Упаковки Digi-Reel®
Статус части Active
Мощность - Макс 150mW
Тип монтажа Surface Mount
Пакет / Дело SOT-563, SOT-666
Тип транзистора 2 PNP Pre-Biased (Dual)
Сопротивление - База (R1) 10kOhms
Частота - Переход 250MHz
Пакет устройств поставщика EMT6
Сопротивление - База Эмиттера (R2) 10kOhms
Vce Насыщенность (Макс) иб, Ic 300mV @ 500µA, 10mA
Текущий - Коллектор (Ic) (Макс) 100mA
Текущий - Коллектор Отсечение (Макс) -
DC Текущий прирост (hFE) (Мин) и Ic, Vce 30 @ 5mA, 5V
Напряжение - Коллектор Излучатель Разбивка (Макс) -

На складе 87 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

RN2710,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
$0
RN2709,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
$0
RN2708,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
$0
RN2707,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
$0
RN2706,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
$0