Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

EMF17T2R

Производителей:	ROHM Semiconductor
Категория продукции:	Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Лист данных:	EMF17T2R
Описание:	TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.15W EMT6
Статус RoHS:	RoHS Совместимый

Атрибут	Значение атрибута
Производителя	ROHM Semiconductor
Категория продукции	Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Серии	-
Упаковки	Tape & Reel (TR)
Статус части	Not For New Designs
Мощность - Макс	150mW
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет / Дело	SOT-563, SOT-666
Тип транзистора	1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
Сопротивление - База (R1)	2.2kOhms
Частота - Переход	250MHz, 140MHz
Пакет устройств поставщика	EMT6
Сопротивление - База Эмиттера (R2)	2.2kOhms
Vce Насыщенность (Макс) иб, Ic	300mV @ 500µA, 10mA / 500mV @ 5mA, 50mA
Текущий - Коллектор (Ic) (Макс)	100mA, 150mA
Текущий - Коллектор Отсечение (Макс)	500nA
DC Текущий прирост (hFE) (Мин) и Ic, Vce	20 @ 20mA, 5V / 180 @ 1mA, 6V
Напряжение - Коллектор Излучатель Разбивка (Макс)	50V