Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

HS8K1TB

Производителей:	ROHM Semiconductor
Категория продукции:	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Лист данных:	HS8K1TB
Описание:	30V NCH+NCH POWER MOSFET
Статус RoHS:	RoHS Совместимый

Атрибут	Значение атрибута
Производителя	ROHM Semiconductor
Категория продукции	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Серии	-
Тип FET	2 N-Channel (Dual)
Упаковки	Digi-Reel®
Функция FET	Standard
Статус части	Active
Мощность - Макс	2W (Ta)
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет / Дело	8-UDFN Exposed Pad
Vgs (th) (Max)	2.5V @ 1mA
Операционная температура	150°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs	14.6mOhm @ 10A, 10V, 11.8mOhm @ 11A, 10V
Пакет устройств поставщика	HSML3030L10
Заряд ворот (Кг) (Макс)	6nC, 7.4nC @ 10V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss)	30V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds	348pF, 429pF @ 15V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию	10A (Ta), 11A (Ta)