Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

IMB3AT110

Производителей:	ROHM Semiconductor
Категория продукции:	Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Лист данных:	IMB3AT110
Описание:	TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6
Статус RoHS:	RoHS Совместимый

Атрибут	Значение атрибута
Производителя	ROHM Semiconductor
Категория продукции	Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Серии	-
Упаковки	Tape & Reel (TR)
Статус части	Active
Мощность - Макс	300mW
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет / Дело	SC-74, SOT-457
Тип транзистора	2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Номер базовой части	MB3
Сопротивление - База (R1)	4.7kOhms
Частота - Переход	250MHz
Пакет устройств поставщика	SMT6
Сопротивление - База Эмиттера (R2)	-
Vce Насыщенность (Макс) иб, Ic	300mV @ 2.5mA, 5mA
Текущий - Коллектор (Ic) (Макс)	100mA
Текущий - Коллектор Отсечение (Макс)	-
DC Текущий прирост (hFE) (Мин) и Ic, Vce	100 @ 1mA, 5V
Напряжение - Коллектор Излучатель Разбивка (Макс)	50V