Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

R6009ENX

Производителей:	ROHM Semiconductor
Категория продукции:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных:	R6009ENX
Описание:	MOSFET N-CH 600V 9A TO220
Статус RoHS:	RoHS Совместимый

Атрибут	Значение атрибута
Производителя	ROHM Semiconductor
Категория продукции	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии	-
Тип FET	N-Channel
Упаковки	Bulk
Vgs (Макс)	±20V
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET	-
Статус части	Active
Тип монтажа	Through Hole
Пакет / Дело	TO-220-3 Full Pack
Vgs (th) (Max)	4V @ 1mA
Операционная температура	150°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs	535mOhm @ 2.8A, 10V
Рассеивание мощности (Макс)	40W (Tc)
Пакет устройств поставщика	TO-220FM
Заряд ворот (Кг) (Макс)	23nC @ 10V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss)	600V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds	430pF @ 25V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию	9A (Tc)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On)	10V