RQ3E080BNTB
Производителей: | ROHM Semiconductor |
---|---|
Категория продукции: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Лист данных: | RQ3E080BNTB |
Описание: | MOSFET N-CH 30V 8A HSMT8 |
Статус RoHS: | RoHS Совместимый |
Атрибут | Значение атрибута |
---|---|
Производителя | ROHM Semiconductor |
Категория продукции | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Серии | - |
Тип FET | N-Channel |
Упаковки | Digi-Reel® |
Vgs (Макс) | ±20V |
Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
Функция FET | - |
Статус части | Active |
Тип монтажа | Surface Mount |
Пакет / Дело | 8-PowerVDFN |
Vgs (th) (Max) | 2.5V @ 1mA |
Операционная температура | 150°C (TJ) |
Rds On (Макс) - Id, Vgs | 15.2mOhm @ 8A, 10V |
Рассеивание мощности (Макс) | 2W (Ta) |
Пакет устройств поставщика | 8-HSMT (3.2x3) |
Заряд ворот (Кг) (Макс) | 14.5nC @ 10V |
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) | 30V |
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds | 660pF @ 15V |
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию | 8A (Ta) |
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On) | 4.5V, 10V |
На складе 3065 pcs
Цена рефранса ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
---|---|---|---|
$0.00 | $0.00 | $0.00 |
Минимальный: 1