Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

RQ3E120GNTB

Производителей:	ROHM Semiconductor
Категория продукции:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных:	RQ3E120GNTB
Описание:	MOSFET N-CH 30V 12A 8-HSMT
Статус RoHS:	RoHS Совместимый

Атрибут	Значение атрибута
Производителя	ROHM Semiconductor
Категория продукции	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии	-
Тип FET	N-Channel
Упаковки	Digi-Reel®
Vgs (Макс)	±20V
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET	-
Статус части	Active
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет / Дело	8-PowerVDFN
Vgs (th) (Max)	2.5V @ 1mA
Операционная температура	150°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs	8.8mOhm @ 12A, 10V
Рассеивание мощности (Макс)	2W (Ta), 16W (Tc)
Пакет устройств поставщика	8-HSMT (3.2x3)
Заряд ворот (Кг) (Макс)	10nC @ 10V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss)	30V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds	590pF @ 15V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию	12A (Ta)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On)	4.5V, 10V