Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

RQ3E180AJTB

Производителей:	ROHM Semiconductor
Категория продукции:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных:	RQ3E180AJTB
Описание:	MOSFET N-CH 30V 18A HSMR8
Статус RoHS:	RoHS Совместимый

Атрибут	Значение атрибута
Производителя	ROHM Semiconductor
Категория продукции	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии	-
Тип FET	N-Channel
Упаковки	Digi-Reel®
Vgs (Макс)	±12V
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET	-
Статус части	Active
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет / Дело	8-PowerVDFN
Vgs (th) (Max)	1.5V @ 11mA
Операционная температура	150°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs	4.5mOhm @ 18A, 4.5V
Рассеивание мощности (Макс)	2W (Ta), 30W (Tc)
Пакет устройств поставщика	8-HSMT (3.2x3)
Заряд ворот (Кг) (Макс)	39nC @ 4.5V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss)	30V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds	4290pF @ 15V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию	18A (Ta), 30A (Tc)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On)	2.5V, 4.5V