Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

RS1E200BNTB

Производителей:	ROHM Semiconductor
Категория продукции:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных:	RS1E200BNTB
Описание:	MOSFET N-CH 30V 20A 8HSOP
Статус RoHS:	RoHS Совместимый

Атрибут	Значение атрибута
Производителя	ROHM Semiconductor
Категория продукции	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии	-
Тип FET	N-Channel
Упаковки	Cut Tape (CT)
Vgs (Макс)	±20V
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET	-
Статус части	Active
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет / Дело	8-PowerTDFN
Vgs (th) (Max)	2.5V @ 1mA
Операционная температура	150°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs	3.9mOhm @ 20A, 10V
Рассеивание мощности (Макс)	3W (Ta), 25W (Tc)
Пакет устройств поставщика	8-HSOP
Заряд ворот (Кг) (Макс)	59nC @ 10V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss)	30V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds	3100pF @ 15V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию	20A (Ta)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On)	4.5V, 10V