Image is for reference only , details as Specifications

SCT3120ALGC11

Производителей:	ROHM Semiconductor
Категория продукции:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных:	SCT3120ALGC11
Описание:	MOSFET NCH 650V 21A TO247N
Статус RoHS:	RoHS Совместимый

Атрибут	Значение атрибута
Производителя	ROHM Semiconductor
Категория продукции	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии	-
Тип FET	N-Channel
Упаковки	Tube
Vgs (Макс)	+22V, -4V
Технологии	SiCFET (Silicon Carbide)
Функция FET	-
Статус части	Active
Тип монтажа	Through Hole
Пакет / Дело	TO-247-3
Vgs (th) (Max)	5.6V @ 3.33mA
Операционная температура	175°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs	156mOhm @ 6.7A, 18V
Рассеивание мощности (Макс)	103W (Tc)
Пакет устройств поставщика	TO-247N
Заряд ворот (Кг) (Макс)	38nC @ 18V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss)	650V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds	460pF @ 500V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию	21A (Tc)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On)	18V