Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

UMG6NTR

Производителей:	ROHM Semiconductor
Категория продукции:	Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Лист данных:	UMG6NTR
Описание:	TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT5
Статус RoHS:	RoHS Совместимый

Атрибут	Значение атрибута
Производителя	ROHM Semiconductor
Категория продукции	Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Серии	-
Упаковки	Tape & Reel (TR)
Статус части	Active
Мощность - Макс	150mW
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет / Дело	5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Тип транзистора	2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Номер базовой части	*MG6
Сопротивление - База (R1)	47kOhms
Частота - Переход	250MHz
Пакет устройств поставщика	UMT5
Сопротивление - База Эмиттера (R2)	-
Vce Насыщенность (Макс) иб, Ic	300mV @ 1mA, 10mA
Текущий - Коллектор (Ic) (Макс)	100mA
Текущий - Коллектор Отсечение (Макс)	-
DC Текущий прирост (hFE) (Мин) и Ic, Vce	100 @ 1mA, 5V
Напряжение - Коллектор Излучатель Разбивка (Макс)	50V