HAT2210RWS-E
Производителей: | Renesas Electronics America |
---|---|
Категория продукции: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
Лист данных: | HAT2210RWS-E |
Описание: | MOSFET N-PAK 8SOP |
Статус RoHS: | RoHS Совместимый |
Атрибут | Значение атрибута |
---|---|
Производителя | Renesas Electronics America |
Категория продукции | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
Серии | - |
Тип FET | 2 N-Channel (Dual), Schottky |
Функция FET | Logic Level Gate, 4.5V Drive |
Статус части | Obsolete |
Мощность - Макс | 1.5W (Ta) |
Тип монтажа | Surface Mount |
Пакет / Дело | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Vgs (th) (Max) | 2.5V @ 1mA |
Операционная температура | 150°C |
Rds On (Макс) - Id, Vgs | 24mOhm @ 3.75A, 10V, 22mOhm @ 4A, 10V |
Пакет устройств поставщика | 8-SOP |
Заряд ворот (Кг) (Макс) | 4.6nC @ 4.5V, 11nC @ 4.5V |
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) | 30V |
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds | 630pF @ 10V, 1330pF @ 10V |
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию | 7.5A (Ta), 8A (Ta) |
На складе 80 pcs
Цена рефранса ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
---|---|---|---|
$0.00 | $0.00 | $0.00 |
Минимальный: 1