Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

RJP65T54DPM-E0#T2

Производителей: Renesas Electronics America
Категория продукции: Transistors - IGBTs - Single
Лист данных: RJP65T54DPM-E0#T2
Описание: IGBT TRENCH TO-3FP
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя Renesas Electronics America
Категория продукции Transistors - IGBTs - Single
Серии -
Тип IGBT Trench
Тип ввода Standard
Плата за ворота 72nC
Статус части Obsolete
Мощность - Макс 63.5W
Тип монтажа Through Hole
Пакет / Дело TO-3PFM, SC-93-3
Условие тестирования 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Энергия переключения 330µJ (on), 760µJ (off)
Td (в/выкл) 35ns/120ns
Операционная температура 175°C (TJ)
Пакет устройств поставщика TO-3PF
Vce (на) (Макс) 1.68V @ 15V, 30A
Текущий - Коллектор (Ic) (Макс) 60A
Текущий - Коллектор Пульсированный (Icm) 225A
Напряжение - Коллектор Излучатель Разбивка (Макс) 650V

На складе 70 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

RJH60T04DPQ-A0#T0
Renesas Electronics America
$0
IRG4RC10SDTRPBFBTMA1
Infineon Technologies
$0
AUXKNG4PH50S-215
Infineon Technologies
$0
IXGM25N100A
IXYS
$0
IXGM17N100A
IXYS
$0